Un nuevo avance de transistores 2D podría hacer procesadores más delgados

Un nuevo avance de transistores 2D podría hacer procesadores más delgados

Un nuevo avance de transistores 2D podría hacer procesadores más delgados

Los dispositivos electrónicos como las computadoras y los teléfonos inteligentes son cada vez más delgados y más pequeños. Uno de los desafíos para los dispositivos más delgados y pequeños en el futuro es reducir el tamaño de los componentes internos y el hardware, y MIT ha anunciado un nuevo avance que podría habilitar transistores 2D para componentes de microchip más pequeños. Los investigadores del proyecto creen que este avance podría ayudar a continuar el progreso en el mercado de microchips, permitiendo que la Ley de Moore continúe.

La ley de Moore predice que la cantidad de transistores empaquetados en un microchip puede duplicarse cada dos años, pero los límites físicos están comenzando a ralentizar ese progreso. Investigadores del MIT están explorando el uso de materiales atómicamente delgados en lugar de silicio para hacer transistores. Uno de los principales desafíos del uso de materiales 2D es que ha sido difícil conectarlos a componentes electrónicos convencionales.

Investigadores del MIT, la Universidad de California en Berkeley y Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, junto con otros, han encontrado una manera de realizar las conexiones eléctricas necesarias. El avance podría ayudar a llevar el potencial de los materiales 2D al mercado y mejorar la miniaturización de componentes, extendiendo así la Ley de Moore para el futuro cercano.

Los investigadores resolvieron uno de los mayores problemas en la miniaturización de dispositivos semiconductores, que es la resistencia de contacto entre un electrodo metálico y un material semiconductor monocapa. Un investigador dijo que la solución al problema era relativamente simple y requería que un elemento semimetálico llamado bismuto reemplazara a los metales comunes para conectarse con el material monocapa.

Los materiales de monocapa ultrafinos, como el disulfuro de molibdeno, se han considerado una posibilidad para sortear los límites de miniaturización encontrados por la tecnología de transistores basada en silicio. Crear una interfaz altamente conductora entre los materiales y los conductores metálicos para conectarlos fue el desafío. El rápido ritmo de la miniaturización de transistores se estancó alrededor del año 2000, pero un nuevo desarrollo rompió ese obstáculo en 2007. Sin embargo, los investigadores creen que estamos al borde de otro cuello de botella, pero este nuevo avance podría ayudar a avanzar.

0 0 votes
Puntuación de la entrada
Subscribe
Notify of
0 Comentarios
Inline Feedbacks
View all comments
A %d blogueros les gusta esto: