TSMC y los nodos de 4nm de Samsung para alimentar procesadores de gama alta en 2022: una mirada más cercana a los dos

TSMC y los nodos de 4nm de Samsung para alimentar procesadores de gama alta en 2022: una mirada más cercana a los dos

Las carreras de 7 nm y 5 nm fueron dominadas casi por sí solo por TSMC. El nodo de 7 nm de Samsung sufrió una falta de adoptantes, supuestamente debido a los bajos rendimientos, mientras que su nodo de 5 nm funciona más o menos igual que el nodo de clase de 7 nm de TSMC. Además, el Exynos 2100, que está fabricado con el proceso de 5 nm de Samsung, no solo es más lento que el Qualcomm Snapdragon 888 (fabricado en el nodo EUV de 5 nm de TSMC), sino que también consume más energía que él.

En los próximos años, la competencia cambiará a los nodos de proceso de clase 3nm, pero antes de eso, se espera que ambas fundiciones confíen en sus nodos de 4nm (derivado de 5nm / 7nm) para cerrar la brecha entre las tecnologías contemporáneas y futuras. Está previsto que el nodo LPP de 4 nm de Samsung esté disponible para los fabricantes de chips en algún momento de 2022, al igual que el proceso N4 de TSMC. El primero conservará la tecnología FinFET, mientras que el siguiente nodo de 3 nm se basará en la tecnología GAA / GAE (Gate All Around / Game All Around Early).

Algo sorprendente, Samsung está anunciando su nodo de 4 nm como un paso importante en su hoja de ruta de procesos, brindando la misma cantidad de mejoras de potencia, rendimiento y densidad que el nodo de 5 nm. Originalmente, su nodo 4LPE se comercializó como una evolución de su proceso 7LPP. La razón es el uso mejorado de EUV con 4nm, así como una mejora notable de alrededor del 50% en PPA.

Samsung planea comenzar la producción en volumen de sus nodos de proceso 4LPE y 5LPP en algún momento de 2021, lo que permite a los consumidores optar por cualquiera de ellos en función de sus necesidades de PPA. Mientras que el nodo LPE y LPP de 5 nm se centra principalmente en la densidad y el rendimiento del transistor, el nodo LPP de 4 nm mejora principalmente la eficiencia energética junto con el rendimiento.

Por otro lado, se espera que TSMC comience la producción de riesgo de su nodo de 4 nm en la segunda mitad de este año, con una producción en masa programada para principios de 2022.. Tanto Qualcomm como Apple planean aprovechar el nodo N4 de la fundición. El Snapdragon 895 y el Apple A16 Bionic se lanzarán a mediados y finales de 2022, respectivamente, basados ​​en el mismo nodo.

El nodo N4 presentará un aumento marginal de densidad en comparación con N5, con un aumento de densidad de alrededor del 6% gracias a la contracción óptica. Sin embargo, las principales ventajas incluyen una menor complejidad del proceso, un mejor rendimiento y una migración más sencilla. Los nodos de 4nm y 3nm de TSMC se basan en transistores FinFET, mientras que Samsung adoptará GAA con su nodo de 3nm.

Fuente: Baidu

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